微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106

vLygx7evEm2P · 2025-3-8 15:34:57

LPD2106是一款高耐压的半桥栅极驱动芯片，具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力，专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2106集成了输入逻辑信号处理电路，支持3.3V~15V输入逻辑电平。LPD2106具有高可靠性和抗干扰能力，高压耐压达650V，开关节点动态能力支持达50V/ns，瞬态耐压能力达-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保护功能，集成了输入最小脉冲宽度识别功能，输出互锁和死区保护功能，VDD和HB-VS UVLO保护。

典型应用电路图

LPD2106采用标准SOP8封装，广泛应用于高速吹风机，风扇，洗衣机，烘干机和冰箱等电器的无刷电机驱动，也可用于LED照明等开关电源，直流转交流逆变器等场景。

LPD2106主要特点

高耐压，高可靠性
开关节点VS耐正压：650V
开关节点VS瞬态负压能力：-60V
开关节点直流负压能力：-11V（@VDD=15V）
开关节点dVs/dt抗干扰能力：50V/ns
ESD-HBM：2000V

输入特性
VDD输入电压：10~20V，耐压25V
VDD UVLO
HB-VS UVLO
兼容3.3V，5V，15V输入电压逻辑
斯密特触发器输入
最小可识别on/off time:50ns
低功耗

输出特性
驱动能力：0.3A拉电流，1.0A灌电流
传输延时短：130ns
双通道延迟匹配：10ns
双通道输出互锁功能
双通道输出固定死区时间：500ns

LPD2106具体性能参数指标可联系微源获取数据手册。

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                        文章出处：【微信号：LPSemi，微信公众号：微源半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。


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